图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品培训模块 | |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 560V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.9V @ 200µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 470pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 31W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| RDS -于 | 950@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 200µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 560V |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 31W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 470pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| 零件号别名 | SP000216298 SPA04N50C3XKSA1 |
| 下降时间 | 10 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | SPA04N50 |
| RDS（ON） | 950 mOhms |
| 功率耗散 | 31 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 5 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 漏源极电压 (Vdss) | 560V |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 470pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 200µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 功率 - 最大值 | 31W |
SPA04N50C3也可以通过以下分类找到
SPA04N50C3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家